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Á¦2ȸ ÇöóÁ RF ±â¼ú¿¬±¸È¸ ¿öÅ©¼ó
 
 *ÀϽà : 2023³â 10¿ù 24ÀÏ(È­) 12:30 ~ 18:00
 *Àå¼Ò :  °úÇбâ¼úÄÁº¥¼Ç¼¾ÅÍ ´ëȸÀǽÇ2(B1F)(¼­¿ï °­³²±¸)

 *ÁÖÃÖ : Çѱ¹¹ÝµµÃ¼µð½ºÇ÷¹À̱â¼úÇÐȸ(ÇöóÁ RF ±â¼ú¿¬±¸È¸)

½Ã °£ ÁÖ Á¦ ¿¬ »ç
12:30~ Çà»ç µî·Ï -
13:00~13:10 ¼Ò°³ ¹× ¿¬±¸È¸ ȸÀå Àλ縻 Á¤Áø¿í ±³¼ö
(¿¬±¸È¸ ȸÀå)
13:10~13:40       ¹ÝµµÃ¼ ÀåºñÀÇ ÃֽŠRF Plasma ±â¼ú ¹× ¾ç»ê ³­Á¦  

ÃÖ¸í¼ö ºÎ»çÀå

                     (SKÇÏÀ̴нº)                      



13:40~14:10      ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤¿¡ Àû¿ëµÇ´Â ÇöóÁ ¼Ò½º ÇöȲ°ú ¹Ì·¡

¹è±ÙÈñ ¸¶½ºÅÍ

(»ï¼ºÀüÀÚ)

14:10~14:40

Development of PECVD Equipment for Low-k SiCOH

and Back Side Film Deposition

À̽¹« Àü¹«

(Å×½º)

14:40~14:50 Break -
14:50~15:20 Plasma¿ë PowerÀÇ ÃֽŠÀÀ¿ë ±â¼ú

°­½ÂÇÏ »ó¹«

(AE Korea)



15:20~15:50 ÇöóÁ °øÁ¤Àåºñ¸¦ À§ÇÑ ÃֽŠRF Á¦¾î ±â¼ú

±è¿µµµ ºÎÀå

(·¥¸®¼­Ä¡)

15:50~16:20 °íÈ¿À² ICP ¶óµðÄ® ¼Ò½º ±â¼ú

¾ö¼¼ÈÆ ´ëÇ¥ÀÌ»ç

(ÀÎÅõÄÚ¾îÅ×Å©³î·ÎÁö)

16:20~16:30 Break -
16:30~17:00 Helical °øÁø ÇöóÁ ±â¼ú

Á¤Áø¿í ±³¼ö

(ÇѾç´ë)

17:00~17:30 ¶óµðÄÃ ÃøÁ¤À» À§ÇÑ ±¤Èí¼ö ºÐ¼® ±â¼ú

¹®¼¼¿¬ ±³¼ö

(ÀüºÏ´ë)

17:30~18:00 °øÁ¤ ÇöóÁ ´ÜÃþ ÃÔ¿µÀ» À§ÇÑ Áø´Ü°ú ±â¼ú

¹Ú»óÈÄ ±³¼ö

(KAIST)

- ¿¬±¸È¸ ¸¶¹«¸® Àλ縻 Á¤Áø¿í ±³¼ö
(ÇѾç´ë)






  *»ó±â ÇÁ·Î±×·¥Àº »çÁ¤»ó ´Ù¼Ò º¯°æµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.